IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R080P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPW60R041C6FKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R080P7XKSA1 IPW60R041C6FKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال NRND
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS P7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 37 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 129 W —
RDS(on) (typ) 69 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V (typ, per datasheet family) —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time / Fall Time (tr/tf) [DATA_NEEDED: tr/tf value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (junction) -55°C to +150°C
پیکیج PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) PG-TO247-3-1 (TO-247-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Packaging Tube (XKSA1 ordering suffix) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology — CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 77.5 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 481 W
On-State Resistance (RDS(on)) — 41 mΩ at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V typical
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr value]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf value]
MSL لیول — Not Applicable (Through-hole)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں