IPW60R080P7XKSA1 vs IPW60R041C6FKSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPW60R080P7XKSA1 bằng Infineon và IPW60R041C6FKSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPW60R080P7XKSA1 - 600V CoolMOS P7 N-Channel MOSFET | Infineon
IPW60R080P7XKSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPW60R080P7XKSA1 | IPW60R041C6FKSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | NRND |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 37 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 129 W | — |
| RDS(on) (typ) | 69 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ, per datasheet family) | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Rise Time / Fall Time (tr/tf) | [DATA_NEEDED: tr/tf value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +150°C |
| Hộp | PG-TO247-3 (TO-247, 3-pin through-hole) | PG-TO247-3-1 (TO-247-3) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Packaging | Tube (XKSA1 ordering suffix) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | — | CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 77.5 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 481 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 41 mΩ at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.5 V to 3.5 V typical |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr value] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf value] |
| Cấp MSL | — | Not Applicable (Through-hole) |
| Lead-Free | — | Yes |