M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FT70ZA3SE بواسطة Micron Technology و M29W800FB70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
حجم الذاكرة 8 Mbit —
التنظيم 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel —
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
العلبة 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
نوع الواجهة — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر