M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FT70ZA3SE מאת Micron Technology ו M29W800FB70N3F מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ פעיל
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה EEPROM Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
גודל זיכרון 8 Mbit —
ארגון 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
ממשק Parallel —
מתח אספקה 2.7 V to 3.6 V —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
מארז 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
סוג ממשק — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר