M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FT70ZA3SE द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
मेमोरी आकार 8 Mbit —
संगठन 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel —
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
पैकेज 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
इंटरफ़ेस प्रकार — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

डेटाशीट और संसाधन

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