M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W800FT70ZA3SE tarafından Micron Technology ve M29W800FB70N3F tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktif
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Bellek Boyutu 8 Mbit —
Organizasyon 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Arayüz Parallel —
Besleme Gerilimi 2.7 V to 3.6 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Paket 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Arayüz Türü — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin