M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F 比較

詳細並排比較 M29W800FT70ZA3SE 由 Micron Technology 與 M29W800FB70N3F 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ 啟用中
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 EEPROM Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
記憶體容量 8 Mbit —
組織 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
介面 Parallel —
供應電壓 2.7 V to 3.6 V —
工作溫度 -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
封裝 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
介面類型 — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

資料表與資源

瀏覽所有產品 建立 BOM 索取報價