M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W800FT70ZA3SE নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W800FB70N3F নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
মেমরি সাইজ 8 Mbit —
সংগঠন 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
ইন্টারফেস Parallel —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 2.7 V to 3.6 V —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
প্যাকেজ 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
ইন্টারফেস টাইপ — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট