M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci M29W800FT70ZA3SE disebabkan oleh Micron Technology dan M29W800FB70N3F disebabkan oleh Micron Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Aktif
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Merek Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Saiz Ingatan 8 Mbit —
Organisasi 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Antaramuka Parallel —
Tegangan Pemberi Arus 2.7 V to 3.6 V —
Suhu Operasi -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Kemasan 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Jenis Antaramuka — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga