M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W800FT70ZA3SE bằng Micron Technology và M29W800FB70N3F bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục EEPROM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
Kích thước bộ nhớ 8 Mbit —
Tổ chức 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
Giao diện Parallel —
Điện áp cung cấp 2.7 V to 3.6 V —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Hộp 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Loại giao diện — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá