M29W800FT70ZA3SE vs M29W800FB70N3F مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W800FT70ZA3SE توسط Micron Technology و M29W800FB70N3F توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded

M29W800FT70ZA3SE ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W800FT70ZA3SE M29W800FB70N3F
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Boot Block)
اندازه حافظه 8 Mbit —
سازمان 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
Technology SLC —
Access Time 70 ns 70 ns
رابط Parallel —
ولتاژ تغذیه 2.7 V to 3.6 V —
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
بسته‌بندی 48-TFBGA (6x8 mm) TSOP-48 (12 x 20 mm)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Programming Interface CFI command set —
Boot Block Architecture Top boot (FT = top boot block) —
Density 8 Mb 8 Mbit
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA code] —
Chipset Validation N/A —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
نوع رابط — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
Packaging — Tape & Reel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت