PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ PDRQL8KCBF12-00 بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VE-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $7.60 |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| العلبة | FBGA | 82-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| الواجهة | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| حالة دورة الحياة | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |