PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM So sánh
So sánh chi tiết song song của PDRQL8KCBF12-00 bằng Samsung Electronics và K4RAH086VE-BCWM bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $7,60 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Tổ chức | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Điện áp cung cấp | 1.1 V | — |
| Hộp | FBGA | 82-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Giao diện | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Latency CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Trạng thái vòng đời | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |