PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של PDRQL8KCBF12-00 מאת Samsung Electronics ו K4RAH086VE-BCWM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $7.60 |
| סוג זיכרון | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| ארגון | 2G x 8 | 2G x 8 |
| קצב נתונים | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| מתח אספקה | 1.1 V | — |
| מארז | FBGA | 82-ball FBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| ממשק | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| סטטוס מחזור חיים | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |