PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار PDRQL8KCBF12-00 توسط Samsung Electronics و K4RAH086VE-BCWM توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $7.60 |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| سازمان | 2G x 8 | 2G x 8 |
| نرخ داده | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA | 82-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| رابط | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| وضعیت چرخه عمر | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |