PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VE-BCWM Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma PDRQL8KCBF12-00 tarafından Samsung Electronics ve K4RAH086VE-BCWM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VE-BCWM |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $7,60 |
| Bellek Türü | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organizasyon | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Veri Hızı | 7200 MT/s | 5600 Mbps |
| Besleme Gerilimi | 1.1 V | — |
| Paket | FBGA | 82-ball FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0C to +85C |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| Arayüz | Pseudo-differential DQ | — |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS Durumu | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Generation | — | DDR5 |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] |
| VDDQ Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ value] |
| Yaşam Döngüsü Durumu | — | Mass Production |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |