STBV45 vs STBV45-AP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ STBV45 بواسطة STMicroelectronics و STBV45-AP بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
STMicroelectronics
STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics
STBV45 ✓ نشطSTMicroelectronics
STBV45-AP - 400V NPN High-Voltage Fast-Switch Transistor | STMicroelectronics
STBV45-AP ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | STBV45 | STBV45-AP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) | 400 V | [DATA_NEEDED: VCBO value] |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | 400 V | 400 V |
| جهد الباعث-القاعدة (Vebo) | [DATA_NEEDED: VEBO rating] | [DATA_NEEDED: VEBO value] |
| Continuous Collector Current (IC) | 750 mA | 0.75 A |
| Power Dissipation (Pd) | 950 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: minimum hFE value] | [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] |
| تردد الانتقال (ft) | [DATA_NEEDED: fT value] | [DATA_NEEDED: fT] |
| جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) | [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| العلبة | TO-92-3 (through-hole) | TO-92AP (Ammopack, radial leads) |
| Pinout | Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Through-Hole (Ammopack tape) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Technology | Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure | High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter |
| Peak Collector Current | — | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] |
| Switching Speed | — | Very high (fast-switching grade) |
| Reverse Bias SOA | — | Wide RBSOA per datasheet |