STBV45 vs STBV45-AP مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار STBV45 توسط STMicroelectronics و STBV45-AP توسط STMicroelectronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر STBV45 STBV45-AP
برند STMicroelectronics STMicroelectronics
دسته‌بندی Transistors Transistors
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
ولتاژ کلکتور-بیس (Vcbo) 400 V [DATA_NEEDED: VCBO value]
ولتاژ کلکتور-امیتر (Vceo) 400 V 400 V
ولتاژ امیتر-بیس (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO rating] [DATA_NEEDED: VEBO value]
Continuous Collector Current (IC) 750 mA 0.75 A
Power Dissipation (Pd) 950 mW —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: minimum hFE value] [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max]
فرکانس گذار (ft) [DATA_NEEDED: fT value] [DATA_NEEDED: fT]
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max]
بسته‌بندی TO-92-3 (through-hole) TO-92AP (Ammopack, radial leads)
Pinout Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) —
نوع نصب Through Hole Through-Hole (Ammopack tape)
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Technology Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter
Peak Collector Current — [DATA_NEEDED: ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at 25C]
Switching Speed — Very high (fast-switching grade)
Reverse Bias SOA — Wide RBSOA per datasheet

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت