STBV45 vs STBV45-AP Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma STBV45 tarafından STMicroelectronics ve STBV45-AP tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre STBV45 STBV45-AP
Marka STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategori Transistors Transistors
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Toplayıcı-Basıt电压 (Vcbo) 400 V [DATA_NEEDED: VCBO value]
Toplayıcı-Emisör Voltage (Vceo) 400 V 400 V
Emisör-Basıt Voltage (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO rating] [DATA_NEEDED: VEBO value]
Continuous Collector Current (IC) 750 mA 0.75 A
Power Dissipation (Pd) 950 mW —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: minimum hFE value] [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max]
Geçiş Frekansı (ft) [DATA_NEEDED: fT value] [DATA_NEEDED: fT]
Toplayıcı-Emisör Doldurma电压 (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max]
Paket TO-92-3 (through-hole) TO-92AP (Ammopack, radial leads)
Pinout Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) —
Montaj Türü Through Hole Through-Hole (Ammopack tape)
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Technology Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter
Peak Collector Current — [DATA_NEEDED: ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at 25C]
Switching Speed — Very high (fast-switching grade)
Reverse Bias SOA — Wide RBSOA per datasheet

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin