STBV45 vs STBV45-AP השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של STBV45 מאת STMicroelectronics ו STBV45-AP מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
STMicroelectronics
STBV45 - 400V NPN High-Voltage Fast-Switching BJT | STMicroelectronics
STBV45 ✓ פעילSTMicroelectronics
STBV45-AP - 400V NPN High-Voltage Fast-Switch Transistor | STMicroelectronics
STBV45-AP ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | STBV45 | STBV45-AP |
|---|---|---|
| מותג | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| קטגוריה | Transistors | Transistors |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג טרנזיסטור | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| מתח קולט-בסיס (Vcbo) | 400 V | [DATA_NEEDED: VCBO value] |
| מתח אספן-פולט (Vceo) | 400 V | 400 V |
| מתח פולט-בסיס (Vebo) | [DATA_NEEDED: VEBO rating] | [DATA_NEEDED: VEBO value] |
| Continuous Collector Current (IC) | 750 mA | 0.75 A |
| Power Dissipation (Pd) | 950 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) | [DATA_NEEDED: minimum hFE value] | [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max] |
| תדר מעבר (ft) | [DATA_NEEDED: fT value] | [DATA_NEEDED: fT] |
| מתח רוויה קולט-פולט (Vce(sat)) | [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | [DATA_NEEDED: Tj max] |
| מארז | TO-92-3 (through-hole) | TO-92AP (Ammopack, radial leads) |
| Pinout | Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through-Hole (Ammopack tape) |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Technology | Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure | High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter |
| Peak Collector Current | — | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | [DATA_NEEDED: Ptot at 25C] |
| Switching Speed | — | Very high (fast-switching grade) |
| Reverse Bias SOA | — | Wide RBSOA per datasheet |