STBV45 vs STBV45-AP موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STBV45 بذریعہ STMicroelectronics اور STBV45-AP بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STBV45 STBV45-AP
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ Transistors Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
کلیکٹر-بیس وولٹیج (Vcbo) 400 V [DATA_NEEDED: VCBO value]
کلیکٹر-ایمیٹر وولٹیج (Vceo) 400 V 400 V
ایمیٹر-بیس وولٹیج (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO rating] [DATA_NEEDED: VEBO value]
Continuous Collector Current (IC) 750 mA 0.75 A
Power Dissipation (Pd) 950 mW —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: minimum hFE value] [DATA_NEEDED: hFE min/typ/max]
ٹرانزیشن فریکوئنسی (ft) [DATA_NEEDED: fT value] [DATA_NEEDED: fT]
کلیکٹر-ایمیٹر سیچوریشن وولٹیج (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction temperature range] [DATA_NEEDED: Tj max]
پیکیج TO-92-3 (through-hole) TO-92AP (Ammopack, radial leads)
Pinout Pin 1: Emitter, Pin 2: Collector, Pin 3: Base (per TO-92 standard) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through-Hole (Ammopack tape)
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Technology Multi-epitaxial planar with cellular emitter structure High-voltage multi-epitaxial planar, cellular emitter
Peak Collector Current — [DATA_NEEDED: ICM value]
Total Power Dissipation (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at 25C]
Switching Speed — Very high (fast-switching grade)
Reverse Bias SOA — Wide RBSOA per datasheet

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں