K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A8G165WB-BIRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও H5TC4G63AFR-PBA নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | SK hynix |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $32.50 | $3.98 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| সংগঠন | 512M x 16 | 256M x 16 |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C to +95°C | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| CAS লেটেন্সি | 15, 16, 17 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| ইন্টারফেস | Pseudo-open-drain | 16-bit I/O |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |