K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BIRC bằng Samsung Electronics và H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | In Stock | — |
| Giá đơn vị (USD) | $32,50 | $3,98 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| Tổ chức | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | — |
| Hộp | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Latency CAS | 15, 16, 17 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| Giao diện | Pseudo-open-drain | 16-bit I/O |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |