K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BIRC بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $32.50 | $3.98 |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| تنظیم | 512M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C | — |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| CAS لیٹنسی | 15, 16, 17 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| انٹرفیس | Pseudo-open-drain | 16-bit I/O |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |