K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BIRC द्वारा Samsung Electronics और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | In Stock | — |
| यूनिट मूल्य (USD) | $32.50 | $3.98 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| CAS लेटेंसी | 15, 16, 17 | — |
| Burst Length | 8 (BL8) and 4 (BC4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| इंटरफ़ेस | Pseudo-open-drain | 16-bit I/O |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Row Address | 16K | — |
| Column Address | 1K | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | 0°C to +95°C (Tcase) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |