W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W634GU6RB-12 নির্দিষ্ট Winbond ও K4B4G1646D-BPH90 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Winbond
W634GU6RB-12 W634GU6RB-12 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 933MHz | Winbond

W634GU6RB-12 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 933MHz | Winbond

W634GU6RB-12 ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BPH90 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার W634GU6RB-12 K4B4G1646D-BPH90
ব্র্যান্ড Winbond Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
মেমরি সাইজ 4Gbit —
সংগঠন 256M x 16 32M x 16
ইন্টারফেস Parallel —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35V 1.35V (DDR3L)
প্যাকেজ 96-VFBGA (7.5x13) 96FBGA
Speed Grade DDR3L-1600 (11-11-11) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) 0°C to +85°C
RoHS Compliant —
হ্যালোজেন মুক্ত Yes Yes
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
পিনের সংখ্যা 96 —
ডেটা রেট 1600 MT/s 2133 Mb/s per pin
Density — 4Gb
Number of Banks — 8
CAS লেটেন্সি — Programmable up to 14
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Lead-Free — Yes
RoHS Compliant — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট