W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng W634GU6RB-12 sa pamamagitan ng Winbond at K4B4G1646D-BPH90 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Brand | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| Packhaging | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Wala sa Halogen | Yes | Yes |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Rate ng Data | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Latensya ng CAS | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |