W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W634GU6RB-12 بذریعہ Winbond اور K4B4G1646D-BPH90 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| برانڈ | Winbond | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 32M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| پیکیج | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |