W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של W634GU6RB-12 מאת Winbond ו K4B4G1646D-BPH90 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| מותג | Winbond | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| גודל זיכרון | 4Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 32M x 16 |
| ממשק | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| מארז | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| מספר פינים | 96 | — |
| קצב נתונים | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| השהיית CAS | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |