W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار W634GU6RB-12 توسط Winbond و K4B4G1646D-BPH90 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| برند | Winbond | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4Gbit | — |
| سازمان | 256M x 16 | 32M x 16 |
| رابط | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| بسته‌بندی | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| دمای کاری | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| نرخ داده | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| تأخیر CAS | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |