W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ W634GU6RB-12 بواسطة Winbond و K4B4G1646D-BPH90 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Winbond | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 32M x 16 |
| الواجهة | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| العلبة | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| معدل البيانات | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |