W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 比較
詳細並排比較 W634GU6RB-12 由 Winbond 與 K4B4G1646D-BPH90 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit | — |
| 組織 | 256M x 16 | 32M x 16 |
| 介面 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| 無鹵素 | Yes | Yes |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 腳位數 | 96 | — |
| 資料速率 | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS 延遲 | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |