W634GU6RB-12 vs K4B4G1646D-BPH90 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma W634GU6RB-12 tarafından Winbond ve K4B4G1646D-BPH90 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | W634GU6RB-12 | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marka | Winbond | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Arayüz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.35V (DDR3L) |
| Paket | 96-VFBGA (7.5x13) | 96FBGA |
| Speed Grade | DDR3L-1600 (11-11-11) | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C (12I), -40°C to +105°C (12J) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Veri Hızı | 1600 MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Gecikme | — | Programmable up to 14 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |