IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43QR16512B-062AABL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और K4A8G165WB-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $6.25 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| डेटा दर | 3200 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| CAS लेटेंसी | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| पैकेज | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| इंटरफ़ेस | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |