IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43QR16512B-062AABL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4A8G165WB-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $6.25 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| زمن الوصول CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| العلبة | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| الواجهة | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |