IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43QR16512B-062AABL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4A8G165WB-BCWE توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ فعالSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $6.25 |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| نرخ داده | 3200 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| تأخیر CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| بسته‌بندی | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| رابط | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bit | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| وضعیت RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |