IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43QR16512B-062AABL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور K4A8G165WB-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IS43QR16512B-062AABL K4A8G165WB-BCWE
برانڈ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت — In Stock
فی یونٹ قیمت (USD) — $6.25
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit 8 Gb
تنظیم 512M x 16 —
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.2 V
ڈیٹا ریٹ 3200 MT/s 3200 Mbps/pin
CAS لیٹنسی 22-22-22 —
tRCD 19 ns —
پیکیج 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96FBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C (case) 0C to +85C
RoHS Compliant —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 96 —
انٹرفیس POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
ڈیٹا بس چوڑائی 16 bit —
Memory Organization — 512M x 16
Access Time — 19 ns
Memory Format — DRAM (volatile)
Technology — DDR4 SDRAM B-die
Prefetch — 8n
Refresh — Self-refresh supported
Termination — On-die termination (ODT)
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں