IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IS43QR16512B-062AABL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ו K4A8G165WB-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ פעילSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| מותג | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $6.25 |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | 8 Gb |
| ארגון | 512M x 16 | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 3200 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| השהיית CAS | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| מארז | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 96 | — |
| ממשק | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bit | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |