IS43QR16512B-062AABL vs K4A8G165WB-BCWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IS43QR16512B-062AABL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ve K4A8G165WB-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AktifSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IS43QR16512B-062AABL | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marka | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Stok Durumu | — | In Stock |
| Birim Fiyat (USD) | — | $6,25 |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Bellek Boyutu | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organizasyon | 512M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| Veri Hızı | 3200 MT/s | 3200 Mbps/pin |
| CAS Gecikme | 22-22-22 | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Paket | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) | 96FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C (case) | 0C to +85C |
| RoHS | Compliant | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Arayüz | POD (Pseudo Open Drain) | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | — |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS Durumu | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |