IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IS43TR16256AL-107MBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ve K4B4G1646E-BYMATCV tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ AktifSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marka | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V |
| Veri Hızı | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| CAS Gecikme | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Arayüz | Parallel | — |
| Paket | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to +95°C (case) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |