IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IS43TR16256AL-107MBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646E-BYMATCV توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ فعالSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برند | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| اندازه حافظه | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V | 1.35 V |
| نرخ داده | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| تأخیر CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| رابط | Parallel | — |
| بسته‌بندی | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| دمای کاری | 0°C to +95°C (case) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |
| محدوده دمای کاری | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |