IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV So sánh
So sánh chi tiết song song của IS43TR16256AL-107MBL bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc và K4B4G1646E-BYMATCV bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Thương hiệu | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Tổ chức | 256M x 16 | — |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Latency CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Giao diện | Parallel | — |
| Hộp | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (case) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Số lượng chân | — | 96 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |