IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IS43TR16256AL-107MBL بذریعہ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc اور K4B4G1646E-BYMATCV بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ فعالSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| برانڈ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| CAS لیٹنسی | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| انٹرفیس | Parallel | — |
| پیکیج | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to +95°C (case) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |