IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV 比較
詳細並排比較 IS43TR16256AL-107MBL 由 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 與 K4B4G1646E-BYMATCV 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ 啟用中
規格比較
| 參數 | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| 組織 | 256M x 16 | — |
| 供應電壓 | 1.35 V | 1.35 V |
| 資料速率 | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| CAS 延遲 | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| 介面 | Parallel | — |
| 封裝 | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C (case) | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| 腳位數 | — | 96 |
| 工作溫度範圍 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |