IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IS43TR16256AL-107MBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc و K4B4G1646E-BYMATCV بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V |
| معدل البيانات | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| زمن الوصول CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (case) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |