K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYK00 tarafından Samsung Electronics ve W634GU6RB09J tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| Paket | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| İşletim Sıcaklığı | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS Gecikme | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Arayüz | — | Parallel |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |