K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYK00 מאת Samsung Electronics ו W634GU6RB09J מאת Winbond. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Winbond |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| קצב נתונים | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| מתח אספקה | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| מארז | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| השהיית CAS | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| ממשק | — | Parallel |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| מספר פינים | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |