K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYK00 بواسطة Samsung Electronics و W634GU6RB09J بواسطة Winbond. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYK00 | W634GU6RB09J |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Winbond |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1066 MHz (DDR3L-2133) |
| جهد التغذية | 1.35 V (also operates at 1.5 V) | 1.35V |
| العلبة | 96-ball TFBGA | 96-VFBGA (7.5x13mm) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| زمن الوصول CAS | Programmable | 20 ns |
| Additional Features | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| Package Shape | RECTANGULAR | — |
| Temperature Grade | OTHER | — |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| الواجهة | — | Parallel |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |