K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics اور W634GU6RB09J بذریعہ Winbond. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعال
Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4B4G1646D-BYK00 W634GU6RB09J
برانڈ Samsung Electronics Winbond
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
تنظیم 256M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps 1066 MHz (DDR3L-2133)
سپلائی وولٹیج 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35V
پیکیج 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
Number of Terminals 96 —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to 85°C 0°C to +95°C (Tc)
CAS لیٹنسی Programmable 20 ns
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
میموری سائز — 4Gbit (256M x 16)
انٹرفیس — Parallel
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Burst Length — 8 and 4
پنز کی تعداد — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں