K4B4G1646D-BYK00 vs W634GU6RB09J So sánh

So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BYK00 bằng Samsung Electronics và W634GU6RB09J bằng Winbond. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ Hoạt động
Winbond
W634GU6RB09J W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J - 4Gb DDR3L SDRAM x16 1066MHz | Winbond

W634GU6RB09J ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4B4G1646D-BYK00 W634GU6RB09J
Thương hiệu Samsung Electronics Winbond
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps 1066 MHz (DDR3L-2133)
Điện áp cung cấp 1.35 V (also operates at 1.5 V) 1.35V
Hộp 96-ball TFBGA 96-VFBGA (7.5x13mm)
Number of Terminals 96 —
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 85°C 0°C to +95°C (Tc)
Latency CAS Programmable 20 ns
Additional Features Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Đông trùng haogen Yes Yes
Package Shape RECTANGULAR —
Temperature Grade OTHER —
Kích thước bộ nhớ — 4Gbit (256M x 16)
Giao diện — Parallel
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Trạng thái RoHS — Compliant
Burst Length — 8 and 4
Số lượng chân — 96
Ball Pitch — 0.8 mm

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá